RGT30TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 14 А, 1.65 В, 32 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RGT30TM65DGC9
RGT30TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 14 А, 1.65 В, 32 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
530
+
Бонус: 10.6 !
Бонусная программа
Итого: 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220NFM
pd - рассеивание мощности32 W
другие названия товара №RGT30TM65D
base product numberRGT30 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c14 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
current - collector (ic) (max)14A
current - collector pulsed (icm)45A
gate charge32nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max32W
td (on/off) @ 25в°c18ns/64ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 15A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 15A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)55ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль