Name: RGT16NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
SKU: RGT16NL65DGTL

RGT16NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

310 ₽

– +

Бонус: 6.2 !

Бонусная программа

Итого: 310 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT

Основные
вес, г	2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-263L-3
pd - рассеивание мощности	94 W
другие названия товара №	RGT16NL65D
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	16 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Отзывов нет

Кнопки