RGS80TS65HRC11

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGS80TS65HRC11
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
1 690
+
Бонус: 33.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 690
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247N-3
pd - рассеивание мощности272 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c73 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль