Name: RGCL80TS60GC11, БТИЗ транзистор, 65 А, 1.4 В, 148 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
SKU: RGCL80TS60GC11

RGCL80TS60GC11, БТИЗ транзистор, 65 А, 1.4 В, 148 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

520 ₽

– +

Бонус: 10.4 !

Бонусная программа

Итого: 520 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-247N-3
pd - рассеивание мощности	148 W
другие названия товара №	RGCL80TS60
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	65 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

RGCL80TS60GC11, БТИЗ транзистор, 65 А, 1.4 В, 148 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)