RGCL80TS60GC11, БТИЗ транзистор, 65 А, 1.4 В, 148 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RGCL80TS60GC11
RGCL80TS60GC11, БТИЗ транзистор, 65 А, 1.4 В, 148 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
520
+
Бонус: 10.4 !
Бонусная программа
Итого: 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-247N-3
pd - рассеивание мощности148 W
другие названия товара №RGCL80TS60
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c65 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль