Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Основные
вес, г
2
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
40 C
подкатегория
IGBTs
размер фабричной упаковки
30
тип продукта
IGBT Transistors
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка
Bulk
упаковка / блок
TO-247N-3
pd - рассеивание мощности
148 W
другие названия товара №
RGCL80TS60
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c
65 A
ток утечки затвор-эмиттер
200 nA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26