Name: RGCL60TS60GC11, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.4 В, 111 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
SKU: RGCL60TS60GC11

RGCL60TS60GC11, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.4 В, 111 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

280 ₽

– +

Бонус: 5.6 !

Бонусная программа

Итого: 280 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-247-3
pd - рассеивание мощности	111 W
другие названия товара №	RGCL60TS60
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	48 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

RGCL60TS60GC11, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.4 В, 111 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)