RGCL60TS60DGC11

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGCL60TS60DGC11
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageBulk
1 250
+
Бонус: 25 !
Бонусная программа
Итого: 1 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-247N
pd - рассеивание мощности111 W
другие названия товара №RGCL60TS60D
base product numberRGCL60 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c48 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
current - collector (ic) (max)48A
current - collector pulsed (icm)120A
gate charge68nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max111W
switching energy770ВµJ (on), 1.11mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c44ns/186ns
vce(on) (max) @ vge, ic1.8V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
test condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)58ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль