NXH100B120H3Q0PTG

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Press Fit
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C

Все характеристики

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM

Основные
вид монтажа	Press Fit
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки	24
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка	Tray
упаковка / блок	Q0BOOST
pd - рассеивание мощности	186 W
Вес и габариты
технология	SiC
конфигурация	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.77 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	800 nA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

NXH100B120H3Q0PTG

Похожие товары Сравнить все