NXH100B120H3Q0PTG
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор 2SC2736 \NPN\0,15\SOT- 23\[2SC2736T]](/wa-data/public/shop/products/25/86/188625/images/224378/224378.300x0.jpg "Транзистор 2SC2736 \NPN\0,15\SOT- 23\[2SC2736T]")
![Транзистор КТ818ВМ \PNP\100\TO-3\; транз КТ818ВМ \PNP\100\TO-3\](/wa-data/public/shop/products/57/23/292357/images/337076/337076.300x0.jpg "Транзистор КТ818ВМ \PNP\100\TO-3\; транз КТ818ВМ \PNP\100\TO-3\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
