NGTG35N65FL2WG

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
pd - рассеивание мощности	300 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	70 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	35 A

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

NGTG35N65FL2WG