NGTB15N60S1EG

Подробное описание

Вес и габариты
вес, г	2
Высота	15.75 мм
Основные
конфигурация транзистора	Одинарный

Все характеристики

530 ₽

– +

Бонус: 10.6 !

Бонусная программа

Итого: 530 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других приложений с сильноточной коммутацией.

Вес и габариты
вес, г	2
Высота	15.75 мм
Основные
конфигурация транзистора	Одинарный
length	10.28мм
максимальное напряжение затвор-эмиттер	±20V
maximum collector emitter voltage	600 В
maximum continuous collector current	30 A
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	117 W
minimum operating temperature	-55 °C
mounting type	Монтаж на плату в отверстия
package type	TO-220
pin count	3
размеры	10.28 x 4.82 x 15.75мм
тип канала	N
Ширина	4.82 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки