MKI100-12F8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
MKI100-12F8
Основные
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
32 060
+
Бонус: 641.2 !
Бонусная программа
Итого: 32 060
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V
Основные
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки5
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаIXYS
упаковкаBulk
упаковка / блокE3-Pack
серияMKI100
длина122 mm
pd - рассеивание мощности640 W
Вес и габариты
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 kV
непрерывный коллекторный ток при 25 c125 A
ток утечки затвор-эмиттер600 nA
Высота 17 мм
Ширина62 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль