IXYX100N120C3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYX100N120C3
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT 1200V 188A 1150W Through Hole PLUS247в„ў-3
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXYX100N120C3
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePLUS247в„ў-3
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX3в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности1150 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.9 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c188 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.188 A
current - collector (ic) (max)188A
current - collector pulsed (icm)490A
gate charge270nC
power - max1150W
switching energy6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c32ns/123ns
vce(on) (max) @ vge, ic3.5V @ 15V, 100A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition600V, 100A, 1Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль