IXYP8N90C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXYP8N90C3D1
IXYP8N90C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO220-3
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
710
+
Бонус: 14.2 !
Бонусная программа
Итого: 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияIXYP8N90
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности125 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.900 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c20 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.20 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль