IXYN50N170CV1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYN50N170CV1
Основные
вес, г30
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
14 510
+
Бонус: 290.2 !
Бонусная программа
Итого: 14 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Решения для медицинского оборудования Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.
Основные
вес, г30
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-227B
california prop 65Warning Information
seriesXPTв„ў ->
input typeStandard
вид монтажа:SMD/SMT
максимальная рабочая температура:+175 C
минимальная рабочая температура:-55 C
подкатегория:IGBTs
производитель:ixys
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:10
тип продукта:IGBT Transistors
торговая марка:IXYS
упаковка:Tube
упаковка / блок:SOT-227B-4
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:880 W
технология:Si
конфигурация:Single
current - collector (ic) (max)120A
current - collector pulsed (icm)485A
gate charge260nC
power - max880W
switching energy8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c22ns/236ns
vce(on) (max) @ vge, ic3.7V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)1700V
test condition850V, 50A, 1Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)255ns
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:1700 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:120 A
ток утечки затвор-эмиттер:100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль