IXYH82N120C3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYH82N120C3
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+175 °C
5 100
+
Бонус: 102 !
Бонусная программа
Итого: 5 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+175 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияIXYH82N120
длина16.26мм
коммерческое обозначениеXPT
тип корпусаTO-247
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры16.26 x 5.3 x 21.46мм
pd - рассеивание мощности1040 W
Вес и габариты
технологияSi
максимальное рассеяние мощности1.25 kW
конфигурацияSingle
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c160 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.160 A
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)1200 В
максимальный непрерывный ток коллектора200 A
скорость переключения50кГц
Высота 21.46 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль