IXYH60N90C3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 60А, 750Вт, TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXYH60N90C3
IXYH60N90C3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 60А, 750Вт, TO247-3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
1 240
+
Бонус: 24.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247AD
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX3в„ў, XPTв„ў ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.900 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c140 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
current - collector (ic) (max)140A
current - collector pulsed (icm)310A
gate charge107nC
power - max750W
switching energy2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c30ns/87ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.7V @ 15V, 60A
voltage - collector emitter breakdown (max)900V
test condition450V, 60A, 3Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль