IXYH40N120C3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYH40N120C3
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
2 950
+
Бонус: 59 !
Бонусная программа
Итого: 2 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V XPT IGBT
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXYH40N120
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 (IXYH)
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX3в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности577 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c70 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.70 A
current - collector (ic) (max)70A
current - collector pulsed (icm)115A
gate charge85nC
power - max577W
switching energy3.9mJ (on), 660ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c24ns/125ns
vce(on) (max) @ vge, ic4V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition600V, 40A, 10Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль