IXYH30N120C3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYH30N120C3
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
3 050
+
Бонус: 61 !
Бонусная программа
Итого: 3 050
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V XPT GenX3 IGBT
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
серияIXYH30N120
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности500 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c75 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.75 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль