IXYH24N90C3D1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYH24N90C3D1
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
3 160
+
Бонус: 63.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX3в„ў, XPTв„ў ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.900 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c44 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
current - collector (ic) (max)44A
current - collector pulsed (icm)105A
gate charge40nC
power - max200W
switching energy1.35mJ (on), 400ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c20ns/73ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.7V @ 15V, 24A
voltage - collector emitter breakdown (max)900V
test condition450V, 24A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)340ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль