IXYA20N120B4HV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYA20N120B4HV
Основные
вес, г2.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
2 850
+
Бонус: 57 !
Бонусная программа
Итого: 2 850
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4TH GENERATION (GENX4)TRENCH
Основные
вес, г2.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263HV-3
серияTrench - 650V - 1200V GenX39
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности375 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.83 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c76 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.130 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль