IXXX110N65B4H1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXXX110N65B4H1
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
4 840
+
Бонус: 96.8 !
Бонусная программа
Итого: 4 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокPLUS 247-3
серияTrench - 650V - 1200V GenX33
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности880 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c240 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.110 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль