IXXK200N65B4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXXK200N65B4
Основные
вес, г10.6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
6 130
+
Бонус: 122.6 !
Бонусная программа
Итого: 6 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Основные
вес, г10.6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
серияIXXK200N65
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности1150 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c370 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.200 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль