IXXH60N65B4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXXH60N65B4
Основные
вес, г4.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
2 130
+
Бонус: 42.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Основные
вес, г4.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXXH60N65
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 (IXXH)
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX4в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности455 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c116 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.60 A
current - collector (ic) (max)116A
current - collector pulsed (icm)250A
gate charge95nC
igbt typePT
power - max455W
switching energy3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c37ns/145ns
vce(on) (max) @ vge, ic2V @ 15V, 60A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 60A, 5Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль