IXXH30N65B4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXXH30N65B4
Основные
вес, г4.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
1 630
+
Бонус: 32.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
Основные
вес, г4.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
серияIXXH30N65
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности230 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.66 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c65 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.30 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль