IXXH30N60B3D1, Транзистор БТИЗ, 600В, 30А, 270Вт, TO247AD
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXXH30N60B3D1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
| Основные | |
| вес, г | 6.13 |
| package / case | TO-247AD-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | IGBTs |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| тип продукта | IGBT Transistors |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| серия | IXXH30N60 |
| длина | 16.24 mm |
| коммерческое обозначение | XPT, GenX3 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 30 |
| manufacturer | IXYS |
| maximum operating temperature | +175 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | IGBT Transistors |
| product type | IGBT Transistors |
| series | IXXH30N60 |
| subcategory | IGBTs |
| pd - рассеивание мощности | 270 W |
| диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| operating temperature range | -55 C to+175 C |
| Вес и габариты | |
| tradename | XPT, GenX3 |
| технология | Si |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 270 W |
| максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 600 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.66 V |
| непрерывный коллекторный ток при 25 c | 60 A |
| ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| непрерывный коллекторный ток | 60 A |
| непрерывный ток коллектора ic, макс. | 115 A |
| maximum gate emitter voltage | 20 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 600 V |
| collector-emitter saturation voltage | 1.66 V |
| continuous collector current at 25 c | 60 A |
| gate-emitter leakage current | 100 nA |
| continuous collector current | 60 A |
| continuous collector current ic max | 115 A |
| Высота | 21.45 мм |
| Ширина | 5.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![PBSS4350SS,115, Транзистор 2xNPN 50В 2.7A [SOIC-8]](/wa-data/public/shop/products/60/68/186860/images/222788/222788.300x0.jpg "PBSS4350SS,115, Транзистор 2xNPN 50В 2.7A [SOIC-8]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
