IXGT2N250

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGT2N250
Основные
вес, г4
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
17 170
+
Бонус: 343.4 !
Бонусная программа
Итого: 17 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-268AA
Основные
вес, г4
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-268
california prop 65Warning Information
pd - рассеивание мощности32 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.2500 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c5.5 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.13.5 A
current - collector (ic) (max)5.5A
current - collector pulsed (icm)13.5A
gate charge10.5nC
power - max32W
vce(on) (max) @ vge, ic3.1V @ 15V, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)2500V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль