IXGP30N120B3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGP30N120B3
Основные
вес, г2.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
2 080
+
Бонус: 41.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V
Основные
вес, г2.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXGP30N120
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
california prop 65Warning Information
seriesGenX3в„ў ->
base product numberIXG*30N120 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
current - collector (ic) (max)60A
current - collector pulsed (icm)150A
gate charge87nC
igbt typePT
power - max300W
switching energy3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c16ns/127ns
vce(on) (max) @ vge, ic3.5V @ 15V, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition960V, 30A, 5Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль