IXGP12N120A3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGP12N120A3
Основные
вес, г1.8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 120
+
Бонус: 22.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs
Основные
вес, г1.8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220AB-3
серияIXGP12N120
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c22 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль