IXGN200N170

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGN200N170
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
13 800
+
Бонус: 276 !
Бонусная программа
Итого: 13 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT NPT-HIVOLTAGE (MINI
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаScrew Mount
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227B-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-227B
california prop 65Warning Information
pd - рассеивание мощности1250 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1700 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.1 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c280 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.1050 A
current - collector (ic) (max)280A
current - collector pulsed (icm)1050A
gate charge540nC
power - max1250W
switching energy28mJ (on), 30mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c37ns/320ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.6V @ 15V, 100A
voltage - collector emitter breakdown (max)1700V
test condition850V, 100A, 1Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)133ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль