IXGH40N120A2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGH40N120A2
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
3 890
+
Бонус: 77.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SGL IGBT 1200V, 80A
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
серияIXGH40N120
длина16.26 mm
pd - рассеивание мощности360 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c75 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный коллекторный ток75 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.160 A
Высота 21.46 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль