IXGH32N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 32А, 300Вт, TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXGH32N120A3
IXGH32N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 32А, 300Вт, TO247-3
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 590
+
Бонус: 31.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1200V
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
серияIXGH32N120
длина16.26 mm
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.75 A
Высота 21.46 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль