IXGH28N60B3D1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGH28N60B3D1
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
2 200
+
Бонус: 44 !
Бонусная программа
Итого: 2 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
серияIXGH28N60
pd - рассеивание мощности190 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c66 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.150 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль