IXGH20N120A3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT PT 1200V 40A 180W сквозное отверстие TO-247AD (IXGH)
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | IGBTs |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| тип продукта | IGBT Transistors |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | IXGH20N120 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-247AD (IXGH) |
| длина | 16.26 mm |
| california prop 65 | Warning Information |
| коммерческое обозначение | GenX3 |
| series | GenX3в„ў -> |
| pd - рассеивание мощности | 180 W |
| диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| base product number | IXG*20N120 -> |
| input type | Standard |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 1.2 kV |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |
| непрерывный коллекторный ток при 25 c | 40 A |
| ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| непрерывный коллекторный ток | 40 A |
| непрерывный ток коллектора ic, макс. | 120 A |
| current - collector (ic) (max) | 40A |
| current - collector pulsed (icm) | 120A |
| gate charge | 50nC |
| igbt type | PT |
| power - max | 180W |
| switching energy | 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) |
| td (on/off) @ 25в°c | 16ns/290ns |
| vce(on) (max) @ vge, ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 1200V |
| test condition | 960V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Высота | 21.46 мм |
| Ширина | 5.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
