Name: IXGH20N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO247-3
SKU: IXGH20N120A3

IXGH20N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO247-3

Подробное описание

Основные
вес, г	6.13
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

1 030 ₽

– +

Бонус: 20.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 030 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

Основные
вес, г	6.13
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247AD-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	IXGH20N120
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-247AD (IXGH)
длина	16.26 mm
california prop 65	Warning Information
коммерческое обозначение	GenX3
series	GenX3в„ў ->
pd - рассеивание мощности	180 W
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
base product number	IXG*20N120 ->
input type	Standard
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.3 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	40 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
непрерывный коллекторный ток	40 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	120 A
current - collector (ic) (max)	40A
current - collector pulsed (icm)	120A
gate charge	50nC
igbt type	PT
power - max	180W
switching energy	2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	16ns/290ns
vce(on) (max) @ vge, ic	2.5V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1200V
test condition	960V, 20A, 10Ohm, 15V
Высота	21.46 мм
Ширина	5.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]

Быстрый просмотр

EMD3FHAT2R, Bipolar Transistors - Pre-Biased General purpose (Dual digital transistors), both DTA114E and DTC114E chip in a EMT6 package

Быстрый просмотр

IXGH20N120A3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 20А, 180Вт, TO247-3

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все