IXGF32N170

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXGF32N170
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
6 550
+
Бонус: 131 !
Бонусная программа
Итого: 6 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокISOPLUS i4-Pak-3
серияIXGF32N170
длина20.29 mm
pd - рассеивание мощности200 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.7 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c44 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный коллекторный ток44 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.200 A
Высота 21.34 мм
Ширина5.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль