Name: IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B
SKU: IXDN75N120

IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B

Подробное описание

Основные
вес, г	34.72
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)

5 820 ₽

– +

Бонус: 116.4 !

Бонусная программа

Итого: 5 820 ₽

Купить

Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 150 А, 660 Вт, для монтажа на шасси, SOT-227B

Основные
вес, г	34.72
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	SOT-227-4, miniBLOC
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	SOT-227B
california prop 65	Warning Information
configuration	Single
Вес и габариты
input	Standard
current - collector (ic) (max)	150A
igbt type	NPT
power - max	660W
vce(on) (max) @ vge, ic	2.7V @ 15V, 75A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1200V
current - collector cutoff (max)	4mA
input capacitance (cies) @ vce	5.5nF @ 25V
ntc thermistor	No

Отзывов нет

Кнопки