Name: IXDN55N120D1, Транзистор
SKU: IXDN55N120D1

IXDN55N120D1, Транзистор

Подробное описание

12 710 ₽

– +

Бонус: 254.2 !

Бонусная программа

Итого: 12 710 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V

Вес и габариты
вес, г	30
Высота	9.6 мм
Основные
длина	38.23 mm
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
конфигурация	Single Dual Emitter
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
минимальная рабочая температура	40 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.3 V
непрерывный коллекторный ток	100 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	100 A
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	10
серия	IXDN55N120
технология	Si
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227B-4
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	25.42 мм

Отзывов нет

Кнопки