IXDN55N120D1, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 62А, SOT227B

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXDN55N120D1
IXDN55N120D1, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 62А, SOT227B
Основные
вес, г5.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
12 710
+
Бонус: 254.2 !
Бонусная программа
Итого: 12 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V
Основные
вес, г5.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227B-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXDN55N120
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-227B
длина38.23 mm
california prop 65Warning Information
configurationSingle
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle Dual Emitter
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.3 V
непрерывный коллекторный ток100 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.100 A
current - collector (ic) (max)100A
igbt typeNPT
power - max450W
vce(on) (max) @ vge, ic2.8V @ 15V, 55A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)3.8mA
input capacitance (cies) @ vce3.3nF @ 25V
ntc thermistorNo
Высота 9.6 мм
Ширина25.42 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль