IXDH20N120D1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXDH20N120D1
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
2 210
+
Бонус: 44.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1200V
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияIXDH20N120
длина16.26 mm
тип корпусаTO-247AD
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры16.26 x 5.3 x 21.46мм
pd - рассеивание мощности200 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c38 A
ток утечки затвор-эмиттер500 nA
непрерывный коллекторный ток38 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.50 A
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)1200 В
максимальный непрерывный ток коллектора38 A
Высота 21.46 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль