IXBT6N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 6А, 75Вт, D3PAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXBT6N170
IXBT6N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 6А, 75Вт, D3PAK
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 460
+
Бонус: 29.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMDБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Основные
вес, г4
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
серияIXBT6N170
длина16.05 mm
коммерческое обозначениеBIMOSFET
pd - рассеивание мощности75 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.7 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.84 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c12 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный коллекторный ток12 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.36 A
Высота 5.1 мм
Ширина14 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль