IXBT16N170A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXBT16N170A
Основные
вес, г4.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
4 740
+
Бонус: 94.8 !
Бонусная программа
Итого: 4 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A
Основные
вес, г4.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
серияIXBT16N170
длина16.05 mm
коммерческое обозначениеBIMOSFET
pd - рассеивание мощности150 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1700 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.16 A
Высота 5.1 мм
Ширина14 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль