IXBH20N300

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXBH20N300
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
11 470
+
Бонус: 229.4 !
Бонусная программа
Итого: 11 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT 3000V 50A 250W Through Hole TO-247AD (IXBH)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247AD (IXBH)
длина16.26 mm
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеBIMOSFET
seriesBIMOSFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности250 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.3 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c50 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.50 A
current - collector (ic) (max)50A
current - collector pulsed (icm)140A
gate charge105nC
power - max250W
vce(on) (max) @ vge, ic3.2V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)3000V
reverse recovery time (trr)1.35Вµs
Высота 21.46 мм
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль