IXBH10N300HV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXBH10N300HV
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
14 580
+
Бонус: 291.6 !
Бонусная программа
Итого: 14 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковка / блокTO-247HV-3
pd - рассеивание мощности180 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.3 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c34 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.88 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль