IXBF20N300

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXBF20N300
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
15 520
+
Бонус: 310.4 !
Бонусная программа
Итого: 15 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Основные
вес, г6.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокISOPLUS-i4-3
длина20.29 mm
коммерческое обозначениеBIMOSFET
pd - рассеивание мощности150 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.3 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c34 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.34 A
Высота 21.34 мм
Ширина5.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль