IXA70I1200NA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXA70I1200NA
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis, Stud Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
8 860
+
Бонус: 177.2 !
Бонусная программа
Итого: 8 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - ModulesМодуль IGBT PT, одиночный, 1200 В, 100 А, 350 Вт, шасси, крепление на шпильке SOT-227B
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis, Stud Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227B-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXA70I1200NA
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-227B
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности350 W
configurationSingle
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c100 A
ток утечки затвор-эмиттер500 nA
current - collector (ic) (max)100A
igbt typePT
power - max350W
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)100ВµA
ntc thermistorNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль