Name: IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А
SKU: IXA30PG1200DHGLB

IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А

Подробное описание

Основные
вес, г	8
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C

2 490 ₽

– +

Бонус: 49.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 490 ₽

Купить

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBTБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg

Основные
вес, г	8
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	20
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	ISOPLUS-9
серия	IXA30PG1200DHGLB
коммерческое обозначение	XPT
pd - рассеивание мощности	150 W
другие названия товара №	IXA30PG1200DHGLB-TUB
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.9 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	43 A
ток утечки затвор-эмиттер	500 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	30 A

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IXA30PG1200DHGLB, Модуль: IGBT, диод/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ, Ic: 30А