IXA12IF1200HB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXA12IF1200HB
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
1 380
+
Бонус: 27.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXA12IF1200
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247AD (HB)
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеXPT
pd - рассеивание мощности85 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c20 A
ток утечки затвор-эмиттер500 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.13 A
current - collector (ic) (max)20A
gate charge27nC
igbt typePT
power - max85W
switching energy1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 10A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition600V, 10A, 100Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)350ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль