Name: ISL9V5045S3ST-F085, БТИЗ транзистор, 51 А, 1.25 В, 300 Вт, 480 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
SKU: ISL9V5045S3ST-F085

ISL9V5045S3ST-F085, БТИЗ транзистор, 51 А, 1.25 В, 300 Вт, 480 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	0.4
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

830 ₽

– +

Бонус: 16.6 !

Бонусная программа

Итого: 830 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ ОдиночныеБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT

Основные
вес, г	0.4
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	800
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок	D2PAK-3
серия	ISL9V5045S_F085
pd - рассеивание мощности	300 mW
другие названия товара №	ISL9V5045S3ST_F085
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	10 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	480 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.25 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	51 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	43 A

Отзывов нет

Кнопки