IGBTsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST

Подробное описание

Основные
вес, г	3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

3 000 ₽

– +

Бонус: 60 !

Бонусная программа

Итого: 3 000 ₽

Купить

IGBTsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST

Основные
вес, г	3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	400
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon / IR
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-274-3
серия	CoolSiC Mosfet Module
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	750 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	240 A
ток утечки затвор-эмиттер	400 nA

Отзывов нет

Кнопки