IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF, IGBT+di 1200В78А Sup247
Вес и габариты
вес, г8.5
Информация о производителе
Структураn-канал+диод
Корпус
970
+
Бонус: 19.4 !
Бонусная программа
Итого: 970
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
IGBT, TO-274AA Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 50A Voltage, Vce Sat Max 2.7V Power Dissipation 350W Case Style TO-247AA Termination Type Through Hole Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current, Icm Pulsed 200A No. of Pins 3 Power, Pd 350W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Time, Rise 77ns Transistors, No. of 1 Корпус TO274AA, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 99 А, Напряжение насыщения К-Э 2.7 В, Максимальная мощность 350 Вт, Заряд затвора 380 нКл, Тип входа стандартный
Вес и габариты
вес, г8.5
Информация о производителе
Структураn-канал+диод
Корпус
импульсный ток коллектора (icm), а200
максимальная рассеиваемая мощность, вт350
максимальное напряжение кэ ,в1200
максимальный ток кэ при 25°c, a99
наличие встроенного диодада
напряжение насыщения при номинальном токе, в2.7
рабочая температура (tj), °c-55…+150
технология/семействоgen4
управляющее напряжение,в6
время задержки включения (td(on)) при при 25°c, нс46
время задержки выключения (td(off)) при при 25°c, нс250
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль